Давыдов Валерий Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2193–2196
2. Особенности спектров комбинационного рассеяния света слоистых кристаллов 2$H$-$\alpha$-In$_2$Se$_3$ различной толщины
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2189–2192
3. Исследование угловой и температурной зависимости примесной Cr$^{3+}$ люминесценции $\beta$-Ga$_2$O$_3$
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2185–2188
4. Центры окраски с воспроизводимыми спектральными характеристиками в гексагональном нитриде бора (hBN), облученном протонами
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1820–1823
5. Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  552–555
6. Сравнительные исследования свойств толстых слоев GaN с различным типом кристаллической структуры, выращенных на керамической подложке
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2125–2127
7. Синтез и исследование наноструктур на основе асбестов, кремнеземов и боратных стекол с включением 2-метилбензимидазола в систему нанотрубок или нанопор
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2083–2087
8. Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  573–576
9. Электрон-фононное взаимодействие в нанокристаллах перовскитов во фторфосфатном стекле
   
   Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  313–320
10. Создание оптически адресуемых спиновых центров в гексагональном нитриде бора путем облучения протонами
    
    Физика твердого тела, 64:8 (2022),  1033–1037
11. Антистоксова люминесценция перовскитных нанокристаллов CsPbBr$_3$ во фторфосфатной стеклянной матрице
    
    Оптика и спектроскопия, 130:11 (2022),  1739–1744
12. Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов
    
    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1094–1098
13. Оптические свойства нановискеров Cu$_2$O
    
    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1075–1081
14. Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации
    
    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1011–1015
15. Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей $n$-InP(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  659–666
16. Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$
    
    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  225–228
17. Зависимость характеристик узких линий люминесценции в наноалмазах от параметров возбуждения и температуры
    
    Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1126–1131
18. Модификация электронных свойств поверхности $n$-InP(100) сульфидными растворами
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  895–900
19. Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889
20. Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1726–1730
21. Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния
    
    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  462–471
22. Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1397
23. Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388
24. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
25. Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом
    
    Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384
26. Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519
27. Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400
28. Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1152–1158
29. Темплатный синтез монодисперсных сферических нанопористых частиц кремния субмикронного размера
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1068–1073
30. Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1423–1430
31. Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97
32. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650
33. Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  526
34. Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
    
    Письма в ЖТФ, 44:9 (2018),  34–40
35. Новые линии люминесценции в полученных методом химического газофазного осаждения наноалмазах
    
    Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2382–2386
36. Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур
    
    ЖТФ, 87:7 (2017),  1066–1070
37. Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598
38. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124
39. Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  116–123
40. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72
41. Динамика решетки и электронная структура кобальт-титановой шпинели Co$_{2}$TiO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2427–2433
42. Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179
43. Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью
    
    Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1432–1435
44. Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  135–139
45. Magnet-induced behavior of iron carbide (Fe7C3@C) nanoparticles in the cytoplasm of living cells
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016),  158–160
46. Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1064–1069
47. Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  711–716
48. Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  423–430
49. Биосенсоры на основе графена
    
    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  28–35
50. Спектры фотолюминесценции тонких пленок ZnO, выращенных по ALD-технологии
    
    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1817–1821
51. Исследование структуры и состава кремниевых микроструктур, подвергшихся циклическому внедрению и экстракции лития
    
    ЖТФ, 85:4 (2015),  52–61
52. Температурное переключение резонаторных мод в микрокристаллах InN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1484–1488
53. Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  74–81
54. Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  17–23
55. Влияние беспорядка в кислородной подрешетке на спектры комбинационного рассеяния кристаллов YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$. Эксперимент и расчет
    
    Физика твердого тела, 34:9 (1992),  2804–2813
56. Исследование высокотемпературных сверхпроводящих керамик и тонких пленок системы Тl$-$Ba$-$Ca$-$Cu$-$O
    
    Физика твердого тела, 31:10 (1989),  295–297
57. Колебательный спектр кристаллов KDA и RDA в сегнетоэлектрической фазе
    
    Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1060–1066
58. Спектры комбинационного рассеяния при гелиевой температуре сегнетоэлектриков KDP и DKDP, монодоменизированных электрическим полем
    
    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3249–3261
59. Высокочастотные колебания протонной и дейтронной подрешеток в сегнетоэлектриках KH$_{2}$PO$_{4}$ и KD$_{2}$PO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2086–2091
60. Влияние дейтерирования на интенсивность спектра комбинационного рассеяния и динамику водородных связей в сегнетоэлектрике KH$_{2}$PO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 26:4 (1984),  1010–1012
61. Деформационные колебания водородной связи в сегнетоэлектриках KH$_{2}$PO$_{4}$ и RbH$_{2}$PO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  367–371