Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Impact of the channel shape, back oxide and gate oxide layers on self-heating in nanoscale JL FINFET
Наносистемы: физика, химия, математика, 13:2 (2022), 148–155
-
Эффект саморазогрева в беспереходных вертикальных полевых транзисторах на основе структур “кремний на изоляторе” с различной формой базы
Письма в ЖТФ, 47:11 (2021), 26–29
-
Simulation of DIBL effect in junctionless SOI MOSFETs with extended gate
Наносистемы: физика, химия, математика, 8:1 (2017), 75–78
-
Simulation of DIBL effect in 25 nm SOIFinFET with the different body shapes
Наносистемы: физика, химия, математика, 8:1 (2017), 71–74
-
The lateral capacitance of nanometer MNOSFET with a single charge trapped in oxide layeror at SiO$_2$ – Si$_3$N$_4$ interfaceat
Наносистемы: физика, химия, математика, 6:6 (2015), 837–842
© , 2024