Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Аномальное поведение боковой $C$–$V$-характеристики МНОП-транзистора со встроенным локальным зарядом в нитридном слое
ЖТФ, 89:7 (2019), 1067–1070
-
Simulation of DIBL effect in junctionless SOI MOSFETs with extended gate
Наносистемы: физика, химия, математика, 8:1 (2017), 75–78
-
Simulation of DIBL effect in 25 nm SOIFinFET with the different body shapes
Наносистемы: физика, химия, математика, 8:1 (2017), 71–74
-
The lateral capacitance of nanometer MNOSFET with a single charge trapped in oxide layeror at SiO$_2$ – Si$_3$N$_4$ interfaceat
Наносистемы: физика, химия, математика, 6:6 (2015), 837–842
© , 2024