Лебедев Сергей Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния
   
   Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1726–1730
2. Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния
   
   Физика твердого тела, 62:3 (2020),  462–471
3. Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388
4. Терагерцевый ближнепольный отклик в лентах графена
   
   Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  29–32
5. Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  3–6
6. Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме
   
   Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1978–1984
7. Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом
   
   Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384
8. Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена
   
   ЖТФ, 89:12 (2019),  1940–1946
9. Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30
10. Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой
    
    Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2474–2477
11. Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1423–1430
12. Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6$H$- и 4$H$-SiC (0001) в вакууме
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1403–1408
13. Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97
14. Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1512–1517
15. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
16. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
17. Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
    
    Письма в ЖТФ, 44:9 (2018),  34–40
18. Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия
    
    Физика твердого тела, 59:10 (2017),  2063–2065
19. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124
20. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
21. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72
22. Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью
    
    Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1432–1435
23. Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  135–139
24. Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6$H$-SiC (000$\bar1$) в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  967–972
25. Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  66–71


26. Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383