Елисеев Илья Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373
2. Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния
   
   Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1726–1730
3. Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния
   
   Физика твердого тела, 62:3 (2020),  462–471
4. Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1397
5. Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388
6. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
7. Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом
   
   Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384
8. Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена
   
   ЖТФ, 89:12 (2019),  1940–1946
9. Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519
10. Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1423–1430
11. Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97
12. Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  526
13. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124
14. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72


15. Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383