Александров Олег Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Латентное накопление поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  559–563
2. Влияние интенсивности ионизирующего облучения на отклик МОП-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  152–158
3. Дисперсионный транспорт водорода в МОП-структурах после ионизирующего облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1029–1033
4. Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  189–194
5. Модель термополевой нестабильности $p$-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  181–188
6. Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  161–164
7. Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1625–1630
8. Модель накопления зарядов в $n$- и $p$-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  637–642
9. Влияние ловушек в диоксиде кремния на пробой МОП-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1105–1109
10. Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  807–810
11. Кинетика распада твердого раствора фосфора в диффузионных слоях кремния
    
    Физика твердого тела, 31:10 (1989),  182–188
12. Структурная неустойчивость высокотемпературного сверхпроводника YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ в области низких температур
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2052–2057
13. Комплексообразование при диффузии фосфора в кремний
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  632–634