Алтухов В И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  366–369
2. Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл–твердые растворы на основе карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1190–1194
3. Новый способ получения стабильных $F^{+}_{2}$-центров в кристаллах LiF
   
   Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1895–1897