Абдуллаев Н А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Транспортные свойства семейства магнитных топологических изоляторов (MnBi$_2$Te$_4$)(Bi$_2$Te$_3)_m$ $(m = 0,1,...,6)$
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:12 (2023),  902–907
2. Температурные исследования спектров комбинационного рассеяния света в магнитных топологических изоляторах MnBi$_2$Te$_4$ и MnSb$_2$Te$_4$
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  361–366
3. Динамика решетки Bi$_2$Te$_3$ и колебательные моды в рамановском рассеянии топологических изоляторов MnBi$_2$Te$_4\cdot n$(Bi$_2$Te$_3$)
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:12 (2022),  801–808
4. Ab initio и экспериментальное исследование колебательных свойств кристаллов TlFeS$_{2}$ и TlFeSe$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1637–1643
5. Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1062–1067
6. Оптические фононы в полупроводниковых соединениях TlFeS$_{2}$, TlFeSe$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  673–678
7. Эллипсометрические исследования монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Bi$_{2}$Se$_{3}\langle$Cu$\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  665–668
8. Ab initio и экспериментальное исследование электронных, оптических и колебательных свойств CdGa$_{2}$Te$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1270–1277
9. Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  922–926
10. Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  309–313
11. Оптические свойства полиэтилена, наполненного нанокристаллитами Bi$_{2}$Te$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  235–240
12. Расчеты ab initio дисперсии фононов в CdGa$_{2}$S$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2265–2269
13. Фотоиндуцированная обратимая локальная деформация рельефа поверхности в объемных монокристаллах TlInSe$_{2}$, TlGaTe$_{2}$ и TlSe
    
    Письма в ЖТФ, 44:14 (2018),  86–93
14. Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi$_{2}$Te$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  981–985
15. Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в CdGa$_{2}$Se$_{4}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  585–587
16. Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  551–557
17. Слабая антилокализация в тонких пленках твердого раствора Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1806–1811
18. Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в ZnGa$_{2}$Se$_{4}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  289–292
19. Оптические свойства тонких пленок PbS
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  51–54
20. Тепловое расширение слоистых кристаллов. Модель Лифшица
    
    Физика твердого тела, 26:12 (1984),  3560–3566