Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si
Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 485–492
-
Новый механизм реализации омических контактов
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 138–142
-
К вопросу об омичности контактов Шоттки
Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 777–784
-
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K
Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 82–87
-
Механизм изменения подвижности носителей заряда при ультразвуковой обработке полупроводниковых твердых растворов
Физика твердого тела, 32:7 (1990), 2159–2161
© , 2024