Феоктистов Николай Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотолюминесценция центров окраски германий-вакансия в полученных химическим газофазным осаждением алмазных частицах
   
   Физика твердого тела, 62:5 (2020),  807–813
2. Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 61:3 (2019),  587–593
3. Темплатный синтез монодисперсных сферических нанопористых частиц кремния субмикронного размера
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1068–1073
4. Сферический распределенный брэгговский отражатель cо всенаправленной стоп-зоной в ближней ИК-области спектра
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  917–921
5. ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
   
   Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2403–2408
6. Новые линии люминесценции в полученных методом химического газофазного осаждения наноалмазах
   
   Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2382–2386
7. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  651–658
8. Сферический распределенный брэгговский отражатель на основе $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H и $a$-SiO$_{2}$
   
   Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  35–42
9. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1812–1817
10. Люминесцентный асимметричный планарный волновод на основе аморфного карбида кремния с поляризованным излучением в модах утечки
    
    ЖТФ, 86:5 (2016),  118–123
11. Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы $a$-Si : H
    
    Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3599–3612