Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской
Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 349–353
-
Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 188–194
-
Влияние текстурирования поверхности пластин кремния для солнечных фотопреобразователей на их прочностные свойства
ЖТФ, 90:7 (2020), 1168–1174
-
Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 97–102
-
Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4$H$-SiC
Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 3–8
-
Влияние температурного отжига на свойства пленок $\alpha$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H (${0<x\leqslant1}$)
Физика твердого тела, 34:1 (1992), 326–328
© , 2024