|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$-структур
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1072–1078
-
Влияние эффекта перколяции на температурные зависимости вольт-фарадных характеристик гетероструктур на основе композитных слоев наночастиц кремния и золота
Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1431–1436
-
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs $p$–$i$–$n$-структурах на время релаксации неравновесных носителей
Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 177–183
-
Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si
Письма в ЖТФ, 44:7 (2018), 30–38
-
Исследования глубоких уровней GaAs $p$–$i$–$n$-структур
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 941–945
-
Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда
Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 383–385
© , 2024