Казакова Алёна Евгеньевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)
   
   Квантовая электроника, 52:9 (2022),  794–798
2. Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм
   
   Квантовая электроника, 52:2 (2022),  171–173
3. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914
4. Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  734–742
5. Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge
   
   Письма в ЖТФ, 45:6 (2019),  7–9
6. Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb
   
   Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1277–1282
7. Тонкопленочные гетероструктуры In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb, выращенные в поле температурного градиента
   
   Физика твердого тела, 60:5 (2018),  888–896
8. Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  75–80
9. Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1426–1433