RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кривоносов Александр Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние разогрева носителей заряда собственным стимулированным пикосекундным излучением в GaAs на линейное возрастание на фронте и длительность спектральной компоненты этого излучения

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  434–440
  2. Длины усиления спектральных компонент собственного стимулированного пикосекундного излучения, зависимость от них характерного времени релаксации указанных компонент и связь спектров стимулированного и спонтанного излучений в GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  121–126
  3. Влияние на длительность пикосекундного стимулированного излучения GaAs разогрева носителей заряда этим излучением

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  113–120
  4. “Брэгговская” решетка заселенности электронов, наводимая в гетероструктуре Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs–Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ее собственным стимулированным пикосекундным излучением

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1018–1028
  5. Антикорреляция интенсивности стимулированного пикосекундного излучения GaAs и характерного времени остывания носителей заряда

    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  25–30
  6. Связь релаксации собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs с характерным временем остывания носителей заряда

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1471–1478
  7. Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  594–599
  8. Автосинхронизация модуляции заселенности энергетических уровней электронами, создаваемой пикосекундными импульсами зондирующего и собственного стимулированного излучений в GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1333–1342


© МИАН, 2024