|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние разогрева носителей заряда собственным стимулированным пикосекундным излучением в GaAs на линейное возрастание на фронте и длительность спектральной компоненты этого излучения
Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 434–440
-
Длины усиления спектральных компонент собственного стимулированного пикосекундного излучения, зависимость от них характерного времени релаксации указанных компонент и связь спектров стимулированного и спонтанного излучений в GaAs
Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 121–126
-
Влияние на длительность пикосекундного стимулированного излучения GaAs разогрева носителей заряда этим излучением
Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 113–120
-
“Брэгговская” решетка заселенности электронов, наводимая в гетероструктуре Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs–Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ее собственным стимулированным пикосекундным излучением
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1018–1028
-
Антикорреляция интенсивности стимулированного пикосекундного излучения GaAs и характерного времени остывания носителей заряда
Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 25–30
-
Связь релаксации собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs с характерным временем остывания носителей заряда
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1471–1478
-
Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда
Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 594–599
-
Автосинхронизация модуляции заселенности энергетических уровней электронами, создаваемой пикосекундными импульсами зондирующего и собственного стимулированного излучений в GaAs
Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1333–1342
© , 2024