Соболева Ольга Сергеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  17–24
2. Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  343–350
3. Изотипные гетероструктуры $n$-AlGaAs/$n$-GaAs, оптимизированные для эффективной межзонной излучательной рекомбинации при накачке электрическим током
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  427–433
4. Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  734–742
5. Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  478–483
6. Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  452–457
7. Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  816–823
8. Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  7–11
9. Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1491–1498