Николаев Владимир Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Образование дендритной структуры в кристаллах NiFeGaCo при выращивании способом Степанова
   
   Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2171–2177
2. Трибологические исследования слоев $\alpha$-$\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ в паре с сапфировым контртелом
   
   ЖТФ, 91:9 (2021),  1354–1362
3. Влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость полиморфных Ga$_{2}$O$_{3}$-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  269–276
4. Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования
   
   Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  3–7
5. Влияние текстурирования поверхности пластин кремния для солнечных фотопреобразователей на их прочностные свойства
   
   ЖТФ, 90:7 (2020),  1168–1174
6. Сравнительный анализ роста кристаллов, выращенных на Земле и на космической станции, на примере синтеза CrSi$_{2}$ из расплава Zn в системе Cr–Si–Zn
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  211–216
7. Упругость и неупругость объемных кристаллов нитрида галлия
   
   ЖТФ, 90:1 (2020),  138–142
8. Прочность пластин монокристаллического кремния для солнечных элементов
   
   ЖТФ, 90:1 (2020),  79–84
9. Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1035–1040
10. Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  33–36
11. Особенности деформации монокристаллов Ni–Fе–Ga–Co, выращенных из расплава методом Степанова
    
    Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  3–5
12. Влияние термообработки на деформационные свойства кристаллов сплава Ni$_{49}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$Co$_{6}$ при их сжатии вдоль оси [011]
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  7–10
13. Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  27–29
14. Анизотропия деформации памяти формы в монокристалле сплава Ni$_{49}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$Co$_{6}$
    
    Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  3–5
15. Межфазные напряжения и аномальный вид кривых псевдоупругой деформации в кристаллах сплава Ni$_{49}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$Co$_{6}$, деформированных сжатием в направлении оси [011]$_{A}$
    
    ЖТФ, 89:6 (2019),  873–881
16. Влияние наночастиц HfO$_{2}$ на форму и параметры кривых псевдоупругой деформации монокристаллов сплава Cu–Al–Ni
    
    ЖТФ, 89:1 (2019),  132–136
17. Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  789–792
18. Микротвердость и трещиностойкость оксида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  51–54
19. Влияние термической обработки на упругие и неупругие свойства монокристаллов сплава Ni$_{55}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$
    
    Письма в ЖТФ, 45:6 (2019),  43–46
20. Деформация памяти формы и микрорельеф поверхности монокристаллов сплавов Ni–Fe–Ga–Co и Cu–Al–Ni
    
    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  27–29
21. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856
22. Эффект памяти формы в монокристаллах Cu–Al–Ni, линейные и вращательные двигатели на их основе
    
    ЖТФ, 88:6 (2018),  843–849
23. Эффект локализации деформации в монокристаллах Cu–Al–Ni при изгибе продольной силой
    
    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  91–96
24. Реактивные напряжения в монокристаллах сплава Ni$_{49}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$Co$_{6}$ с эффектом памяти формы
    
    Письма в ЖТФ, 44:5 (2018),  3–9
25. Межфазные напряжения и аномальный вид кривых термоупругой деформации сплава Cu–Al–Ni с эффектом памяти формы
    
    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  39–45
26. Аномальный характер кривых псевдоупругой деформации кристаллов сплава Ni–Fe–Ga–Co как результат действия межфазных напряжений
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2400–2405
27. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1812–1817
28. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
29. Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  549–552
30. Масс-спектрометр с мембранным интерфейсом для мониторинга концентрации нефти в морской воде
    
    Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  72–77
31. Влияние частичной деформации памяти формы на взрывообразный характер ее восстановления в кристаллах сплава Ni–Fe–Ga–Co при нагреве
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  18–27