Гольдман Евгений Иосифович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Слабое проявление эффекта поля в структурах металл–диэлектрик–полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1887–1889
2. Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  24–27
3. Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ в параэлектрическом состоянии
   
   Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1226–1231
4. Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок
   
   Физика твердого тела, 62:1 (2020),  121–124
5. Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний–сверхтонкий окисел–поликремний
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  481–484
6. О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  89–92
7. Определение параметров структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  46–49
8. Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний–сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл–окисел–полупроводник
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1185–1188