Чучева Галина Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST
   
   Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1895–1900
2. Слабое проявление эффекта поля в структурах металл–диэлектрик–полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1887–1889
3. Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  24–27
4. Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ в параэлектрическом состоянии
   
   Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1226–1231
5. Создание и исследования структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок
   
   Физика твердого тела, 62:3 (2020),  422–426
6. Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок
   
   Физика твердого тела, 62:1 (2020),  121–124
7. Зависимость электрофизических характеристик структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник от материала верхнего электрода
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1219–1223
8. Влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства пленок BST 80/20
   
   Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1948–1952
9. Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний–сверхтонкий окисел–поликремний
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  481–484
10. О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  89–92
11. Определение параметров структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  46–49
12. Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  951–954
13. Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний–сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл–окисел–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1185–1188
14. Расчёт теплофизических параметров и технология формирования МПЛ СВЧ диапазона
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013),  9–12
15. Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических плёнок
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013),  7–9
16. Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 12:2 (2012),  8–11


17. Фазовые изменения мультиферроидных магнитных материалов, применяемых в системах внешней памяти
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 17:1 (2017),  33–43