Оганесян Гагик Араратович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. “Зародышевые” трещины на поверхности кристалла кремния
   
   Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1594–1597
2. Towards the modeling of impurity-related defects in irradiated $n$-type germanium: a challenge to theory
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1188
3. Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  45
4. Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1578
5. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
6. Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1632–1646
7. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
8. Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1313–1319
9. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
10. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
    
    Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86