Калентьева Ирина Леонидовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
   
   Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
2. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости
   
   Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
3. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  346–355
4. Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  324–332
5. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As
   
   Физика твердого тела, 62:3 (2020),  373–380
6. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1336–1343
7. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения
   
   Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1694–1699
8. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  351–358
9. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt
   
   Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2236–2239
10. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1286–1290
11. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2203–2205
12. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2196–2199
13. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
14. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1490–1496
15. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  204–207