Крюков Руслан Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости
   
   Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
2. Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988
3. Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  637–643
4. Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  37–40
5. Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO$_{2}$/Si (100) методом “горячей проволоки”
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1129–1133
6. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
7. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
8. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1271–1274
9. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1233–1236
10. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2137–2140
11. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  591–595
12. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468