|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия
Физика твердого тела, 63:6 (2021), 788–795
-
Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te
Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1040–1044
-
Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 682–687
-
Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe
Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1302–1308
-
Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере
Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 43–45
-
Начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем образования призматических дислокационных петель в композитных наноструктурах GaN–Ga$_{2}$O$_{3}$
Физика твердого тела, 58:8 (2016), 1558–1567
© , 2024