Шарофидинов Шукрилло Шамсидинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия
   
   Физика твердого тела, 63:6 (2021),  788–795
2. Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369
3. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
4. Диэлектрические и пироэлектрические свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке карбида кремния на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 47:9 (2021),  7–10
5. Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники
   
   ЖТФ, 90:3 (2020),  450–455
6. Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  22–25
7. Особенности пироэффекта в эпитаксиальных слоях нитрида алюминия, полученных на Si-подложках
   
   Письма в ЖТФ, 46:1 (2020),  20–23
8. Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2379–2384
9. Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2338–2343
10. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
11. Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27
12. Исследование пироэффекта в AlN-эпитаксиальных слоях
    
    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  11–19
13. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
14. Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  549–552