Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
Физика твердого тела, 63:4 (2021), 421–426
-
Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученных методом Чохральского
Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 19–22
-
Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере
Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 43–45
-
Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 36–39
-
Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 51–58
-
Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 1001–1006
© , 2024