Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
Физика твердого тела, 63:4 (2021), 421–426
-
Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученных методом Чохральского
Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 19–22
-
Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере
Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 43–45
-
Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 789–792
-
Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 549–552
-
Определение топологических параметров лазера с пассивной синхронизацией мод на основе гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 56–63
© , 2024