Моисеев Константин Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP в интервале составов $y<$ 0.2
   
   Физика твердого тела, 63:4 (2021),  475–482
2. Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  277–281
3. Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP
   
   Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1822–1827
4. Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  202–206
5. Узкозонные гетероструктуры InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP ($y$ = 0.09–0.16) для спектрального диапазона 4–6 $\mu$m, полученные методом МОГФЭ
   
   Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1746–1753
6. Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  291–308
7. Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца
   
   Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2325–2330
8. Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP
   
   Физика твердого тела, 60:3 (2018),  585–590
9. Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1189–1195
10. Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1146–1150
11. Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2203–2207
12. Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с $\delta$-легированием марганцем
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2160–2163
13. Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  993–996
14. Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  927–931