Гращенко Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369
2. Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  7–10
3. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
4. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
5. Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования
   
   Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  3–7
6. Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC
   
   Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  19–22
7. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней
   
   Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  36–38
8. Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2313–2315
9. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
10. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
11. Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27
12. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856
13. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  651–658