Котляр Константин Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369
2. Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788
3. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624
4. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ
   
   Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35
5. Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  47–50
6. Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне
   
   Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133
7. Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  884–887
8. Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках
   
   Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  32–35
9. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
10. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  48–50
11. Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468
12. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
13. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
14. MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522
15. The features of GaAs nanowire SEM images
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510
16. Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200
17. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529
18. Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318
19. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889