Богданов Сергей Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022),  578–584
2. Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  49–58
3. Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  52–54
4. Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе
   
   Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  19–23
5. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
6. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа
   
   ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
7. Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390
8. Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  11–14
9. Создание локализованных ансамблей NV-центров в CVD-алмазе с помощью облучения электронным пучком
   
   Письма в ЖТФ, 45:6 (2019),  36–39
10. Контракция микроволнового разряда в реакторе для газофазного осаждения алмаза
    
    Письма в ЖТФ, 45:3 (2019),  30–33
11. Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151
12. Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза
    
    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  65–71
13. Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1647–1651
14. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598