Краев Станислав Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840
2. Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  49–58
3. Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  958–961
4. Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  865–867
5. Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858
6. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
7. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа
   
   ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
8. Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390
9. Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1311–1314
10. Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232
11. Новый подход к анализу фазового состава углеродсодержащих материалов методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  50–54
12. Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1362–1365
13. Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506
14. Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462