Брунков Павел Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование с помощью молекулярной динамики образования димеров на поверхности (001) GaAs при низких температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  134–137
2. Лазерная генерация коллоидных кремниевых наночастиц, легированных серой и углеродом
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  897–901
3. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
4. Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6
5. Выглаживание поверхности антимонида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  48–50
6. Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519
7. Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1424–1426
8. 
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1164
9. Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  36–39
10. Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1663–1667
11. Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515
12. Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  477
13. Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  127–132
14. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
15. Упругие и пьезоэлектрические параметры кристаллов гистидинфосфита $L$-Hist $\cdot$ H$_{3}$РО$_{3}$, полученные методом электромеханического резонанса
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  69–78
16. Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  67–74
17. Экспериментальное изучение циклического воздействия плазмы на вольфрам
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  51–57
18. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
19. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65
20. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
21. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93


22. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
    
    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894