Васев Андрей Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146
2. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1289–1295
3. Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)
   
   Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  11–14
4. Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs
   
   ЖТФ, 89:7 (2019),  1071–1078
5. Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  512–519
6. Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  525
7. Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$
   
   Письма в ЖТФ, 44:14 (2018),  19–25