Лебедева Наталья Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  349–353
2. TCAD-моделирование высоковольтных 4$H$-SiC диодов с охранной полуизолирующей областью
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  201–206
3. Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  188–194
4. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  48–50
5. Лавинный пробой в 4$H$-SiC диодах Шоттки: вопросы надежности
   
   ЖТФ, 90:12 (2020),  2133–2138
6. Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста
   
   ЖТФ, 90:6 (2020),  997–1000
7. О защите высоковольтных мезаструктурных 4$H$-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  207–211
8. Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  97–102