Самсонова Татьяна Павловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  349–353
2. Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  188–194
3. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  48–50
4. Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста
   
   ЖТФ, 90:6 (2020),  997–1000
5. Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  97–102
6. Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4$H$-SiC диодов с помощью протонного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  862–864
7. Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4$H$-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  407–410
8. Устойчивость высоковольтных (1430 В) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов к лавинному пробою
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1527–1531
9. Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1187–1190
10. Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения $n$-SiC высокоэнергетическими ионами аргона
    
    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  11–16
11. Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4$H$-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  3–8
12. Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов в режиме лавинного пробоя
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  390–394
13. Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  937–940
14. Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4$H$-SiC вдоль оси $c$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  900–904