|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
Квантовая электроника, 52:7 (2022), 593–596
-
Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек
Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1223–1228
-
Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек
Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 820–825
-
Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров
Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 195–200
-
Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 3–6
-
Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера
Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 28–31
-
Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 833–840
-
Предельная температура генерации микродисковых лазеров
Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 570–574
-
Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 212–216
-
Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
Письма в ЖТФ, 46:16 (2020), 3–6
-
Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек
Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 7–10
-
Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера
Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 3–7
-
Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1122–1127
-
Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света
Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 216–220
-
Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования
Письма в ЖТФ, 45:23 (2019), 10–13
-
Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
Письма в ЖТФ, 45:19 (2019), 37–39
-
Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками
Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 49–51
-
Спектральные характеристики отражения микромассивов кремниевых нанопилларов
Оптика и спектроскопия, 124:5 (2018), 695–699
-
Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1518–1526
-
Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 55–61
-
Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм
Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1176–1181
-
Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 276–280
-
Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 263–268
-
Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1425–1428
-
Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 393–397
-
Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 70–79
© , 2024