Надточий Алексей Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
2. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
3. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
   
   Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
4. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1223–1228
5. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
6. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
7. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
8. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  195–200
9. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
10. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
11. Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20–300 K
    
    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  110–117
12. Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1079–1087
13. Предельная температура генерации микродисковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574
14. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
15. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
16. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10
17. Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33
18. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
19. Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  3–6
20. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
21. Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1520–1526
22. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
23. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
24. Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1131–1136
25. In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  729–735
26. Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  57–62
27. Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  704–710
28. Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма–точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  372–377
29. Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1208–1212
30. Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1202–1207