RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Гордеев Никита Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
  2. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1223–1228
  3. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
  4. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
  5. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком

    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
  6. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
  7. Полупроводниковая лазерная квазирешетка с фазированными одномодовыми каналами излучения

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1444–1447
  8. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
  9. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm

    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
  10. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
  11. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
  12. Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  260–265
  13. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью

    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51


© МИАН, 2024