Паюсов Алексей Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
2. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком
   
   Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
3. Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  296–303
4. Генерация пикосекундных импульсов лазерами с распределенной обратной связью с длиной волны 1064 nm
   
   Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  12–15
5. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
6. Полупроводниковая лазерная квазирешетка с фазированными одномодовыми каналами излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1444–1447
7. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
8. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
9. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
10. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
11. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
12. Режимы излучения двухсекционных лазеров спектрального диапазона 1.06 $\mu$m с активной областью на основе квантовых точек
    
    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  30–39
13. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51
14. Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1202–1207