Минтаиров Сергей Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
2. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
3. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
4. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
5. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
6. Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области
   
   Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  28–31
7. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
8. Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54
9. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54
10. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
11. Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  29–31
12. Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768
13. Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1079–1087
14. Предельная температура генерации микродисковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574
15. Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  400–407
16. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
17. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10
18. Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33
19. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
20. Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  29–31
21. Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  3–6
22. Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1568–1572
23. Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1520–1526
24. Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1135–1139
25. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
26. Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  41–43
27. Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  37–39
28. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
29. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
30. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
31. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
32. Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1131–1136
33. Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1126–1130
34. In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  729–735
35. Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  477
36. Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  57–62
37. Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах
    
    Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  95–101
38. Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  50–58
39. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51
40. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1131–1137
41. Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  704–710
42. Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма–точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  372–377
43. Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  94–100
44. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246
45. Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1202–1207
46. Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  987–992
47. Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  525–530
48. Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  125–131