|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 682–687
-
Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K
Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 502–506
-
Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP
Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 277–281
-
Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs
Письма в ЖТФ, 46:3 (2020), 51–54
-
Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 450–455
-
Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 247–252
© , 2024