Мынбаев Карим Джафарович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1040–1044
2. Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  682–687
3. Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  554–558
4. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  502–506
5. Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  277–281
6. Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1302–1308
7. Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs
   
   Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  51–54
8. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
   
   ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597
9. Определение параметров латерального и нестационарного шнурового токов в цилиндрическом халькогенидном стеклообразном полупроводнике
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1669–1673
10. Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  450–455
11. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27
12. Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах
    
    ЖТФ, 87:3 (2017),  419–426
13. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252
14. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  208–211
15. Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  138–142