Михайлова Майя Павловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  995–1010
2. Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  313–318
3. Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1267–1288
4. Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  291–308
5. Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54
6. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
7. Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1393–1399
8. Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1196–1201
9. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252
10. Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800


11. Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476