Коненкова Елена Васильевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  908–911
2. Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  356–359
3. Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке
   
   ЖТФ, 90:12 (2020),  2123–2126
4. Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
   
   Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  29–31
5. Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(10$\bar{1}$2) на наноструктурированной подложке Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  12–14
6. Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии
   
   ЖТФ, 89:4 (2019),  574–577
7. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1006–1009
8. Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  3–5
9. Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке
   
   Письма в ЖТФ, 44:12 (2018),  45–51
10. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке
    
    Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  96–103
11. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  660–667