Кудряшов Дмитрий Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  360–364
2. Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  31–33
3. Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  47–50
4. Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости
   
   Письма в ЖТФ, 47:16 (2021),  24–27
5. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54
6. Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 47:2 (2021),  49–51
7. Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  37–40
8. Особенности магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля для применения в составе перовскитных солнечных элементов
   
   ЖТФ, 89:3 (2019),  460–464
9. Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1668–1674
10. Формирование кристаллических слоев Cu$_{2}$O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  402–408
11. Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  111–115
12. Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318
13. Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1543–1547