Уваров Александр Вячеславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
   
   Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
2. Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  360–364
3. Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  31–33
4. Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  47–50
5. Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости
   
   Письма в ЖТФ, 47:16 (2021),  24–27
6. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54
7. Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 47:2 (2021),  49–51
8. Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  37–40
9. Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1095–1102