|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Оптическая спиновая инициализация азот-вакансионных центров в изотопно-обогащенном ($^{28}$Si) кристалле 6H-SiC для квантовых технологий
Письма в ЖЭТФ, 119:8 (2024), 587–592
-
Влияние условий фотовозбуждения на спиновую поляризацию азот-вакансионных центров в изотопно-обогащенном карбиде кремния $6$H-$^{28}$SiC
Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 166:2 (2024), 187–199
-
Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC
Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 513–517
-
Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN
Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 224–227
-
Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом
Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2298–2302
-
Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1593–1596
-
Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН
ЖТФ, 87:7 (2017), 1104–1106
© , 2024