Соболев Николай Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  928–931
2. Влияние деформации сжатия и растяжения на спектр дислокационной люминесценции в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  550–553
3. Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  580–584
4. Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  437–440
5. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  165–168
6. Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  161–164
7. Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота
   
   Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  24–30
8. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
9. Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1182–1184
10. Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$–$n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  632–636
11. Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  87–92
12. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
    
    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  14–20
13. Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2411–2414
14. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  254–258
15. Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  250–253
16. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244