Колодезный Евгений Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
   
   Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
2. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
3. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
4. Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами
   
   Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  23–27
5. Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
   
   ЖТФ, 90:12 (2020),  2139–2142
6. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров
   
   Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1165–1170
7. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции
   
   Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
8. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
   
   Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
9. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин
   
   Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
10. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
11. Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  365–369
12. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения
    
    Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  21–23
13. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
14. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
15. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33
16. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе
    
    Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018),  229–233
17. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1034–1037
18. Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  954–957
19. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  597–602
20. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям
    
    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
21. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  64–71
22. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433