Митрофанов Максим Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Strong coupling of exciton in organic material and plasmonic WGM localized on the surface of silver nanoparticles
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023),  14–15
2. Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022),  611–612
3. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
4. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
5. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком
   
   Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
6. Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1390
7. Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  85–88
8. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления
   
   Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
9. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
10. Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1579–1583
11. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
12. Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  816–818