RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Малевская Александра Вячеславовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
  2. Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1086–1090
  3. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
  4. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов

    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
  5. Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения

    Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  52–54
  6. Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  14–17
  7. Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  35–37
  8. Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  11–13
  9. Разработка методов жидкостного травления разделительной меза-структуры при создании каскадных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  14–16
  10. Исследование формирования антиотражающего покрытия каскадных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  15–17
  11. Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей

    Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15
  12. Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей

    ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215


© МИАН, 2024